Home | deutsch  | Legals | Data Protection | Sitemap | KIT

Investigation of micro-stress at Si/SiO₂ interface using infrared spectroscopy

Investigation of micro-stress at Si/SiO₂ interface using infrared spectroscopy
chair:

Hafshejani, T. M. / Königer, F. / Wohlgemuth, J. / Fu, Z. /  König-Edel, M. / Schwotzer, M. / Thissen, P. (2019)

place:

DPG-Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM), Fachverband Oberflächenphysik (2019), Regensburg, Deutschland, 31.03.2019 – 05.04.2019

Date: April 2019